В корзине пусто!
Общие | |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 36 |
CAS Latency (CL) | 15 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 15 |
Row Precharge Delay (tRP) | 15 |
Буферизованная (Registered) | нет |
Напряжение питания | 1.2 В |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем | 1 модуль 16 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Пропускная способность | 17000 Мб/с |
Тактовая частота | 2133 МГц |
Тип памяти | DDR4 |
Форм-фактор | DIMM 288-контактный |