В корзине пусто!
Общие | |
CAS Latency (CL) | 14 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 14 |
Row Precharge Delay (tRP) | 14 |
Буферизованная (Registered) | нет |
Количество ранков | 1 |
Количество чипов каждого модуля | 8, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.2 В |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем | 1 модуль 4 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Поддержка XMP | есть |
Пропускная способность | 19200 Мб/с |
Тактовая частота | 2400 МГц |
Тип памяти | DDR4 |
Форм-фактор | SODIMM 260-контактный |